ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

2024-01-23  admin 本站
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采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VFIR相比以往产品得到显著改善ROHM推出实现业界超快trr100V耐压SBDYQ系列

非常适用于汽车LED前照灯等高速开关应用

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。

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二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD,其VF低于平面结构的SBD,因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品,其trr比平面结构的要差,因此在用于开关应用时存在功率损耗增加的课题。针对这种课题,ROHM推出采用自有的沟槽MOS结构、同时改善了存在权衡关系的VF和IR、并实现了业界超快trr的YQ系列产品。

“YQ系列”是继以往支持各种电路应用的4个SBD系列之后推出的新系列产品,也是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极管。该系列利用ROHM自有的结构设计,实现了业界超快的trr(15ns),与同样采用沟槽MOS结构的普通产品相比,trr单项的损耗降低约37%,总开关损耗降低约26%,因此,有助于降低应用产品的功耗。另外,通过采用沟槽MOS结构,与以往采用平面结构的SBD相比,正向施加时的损耗VF*2和反向施加时的损耗IR*3均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗,还可以降低对于SBD而言最令人担心的热失控风险*4。这些优势使得该系列产品非常适用于容易发热的车载LED前照灯的驱动电路、xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。

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新产品从2023年12月起全部投入量产(样品价格:300日元~/个,不含税),样品可通过Ameya360、Sekorm、Right IC等网售平台购买。今后,ROHM将持续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质,并继续加强别具特色的产品阵容,为应用产品进一步实现小型化和更低功耗贡献力量。

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<关于SBD的沟槽MOS结构>

沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽(沟槽MOS)并用多晶硅填充的结构,这种结构可以缓和电场集中,从而可以降低外延层的电阻率,在正向施加时VF更低。另外,当反向施加时,可以缓和电场集中现象,从而实现更低的IR。前述的“YQ系列”通过采用这种沟槽MOS结构,与以往产品相比,VF改善了约7%,IR改善了约82%。另一方面,在普通沟槽MOS结构中,寄生电容(元器件中的电阻分量)较大,因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR,而且还利用ROHM自有的结构设计,实现了约15ns的业界超快trr。由于可将开关时的损耗降低约26%,因此非常有助于降低应用产品的功耗。

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<应用示例>

・汽车LED前照灯    ・xEV用DC-DC转换器    ・工业设备电源     ・照明

<产品阵容表>

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<支持页面和资源信息>

ROHM的官网提供可以了解新产品电路优势的应用指南,以及介绍包括新产品在内的各SBD系列产品特点的白皮书。在SBD产品页面中,可以通过输入耐压条件等参数来缩小产品范围,有助于设计时顺利选择产品。详情请访问以下网址:

■ROHM的SBD产品页面

https://www.rohm.com.cn/products/diodes/schottky-barrier-diodes

■应用指南

《车载用小型高效肖特基势垒二极管“YQ系列”的优势》

https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-c.pdf

■白皮书

有助于车载、工业和消费电子设备小型化并降低损耗的ROHM SBD产品阵容

https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-c.pdf

<电商销售信息>

电商平台:Ameya360、Sekorm、Right IC

产品型号:见上表。

新产品在其他电商平台也以开始逐步发售。

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<术语解说>

*1) 反向恢复时间:trr(Reverse Recovery Time)

开关二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低,开关时的损耗越小。

*2) 正向电压:VF(Forward Voltage)

当电流沿从+到-的方向流动时产生的电压降。该值越低,效率越高。

*3) 反向电流:IR(Reverse Current)

反向施加电压时产生的反向电流。该值越低,功耗(反向功耗)越小。

*4) 热失控

当向二极管施加反向电压时,内部的芯片发热量超过了封装的散热量,导致IR值增加,最终造成损坏的现象称为“热失控”。IR值高的SBD尤其容易发生热失控,因此在设计电路时需要格外注意。

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